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• ?速制御可能なスピントロニクス材料の??积作製?法を开発。
• ツリウム鉄ガーネット薄膜をオンアクシススパッタリング法により作製する际、スパッタ原?の広がり?の违いが薄膜の磁気异?性を変化させることを解明した。
• ?速磁壁移动デバイスおよびスキルミオンデバイスへの応?に期待。

　2012 年に?本で発?された絶縁体の垂直磁化膜(※1)であるツリウム鉄ガーネット(TmIG)は、?速磁壁移動およびスキルミオン(※2)の輸送が可能のため、新たなメモリー、およびコンピューターを実現する材料として注?を集めています。従来はパルスレーザー堆積法が?般的に?いられており、オンアクシススパッタリング(※3)による??積での作製が難しいと考えられていました。
　九州?学?学院システム情報科学府のMarlis Nurut Agusutrisno さん、システム情報科学研究院の?下尚?助教、University of Leeds のChristopher Marrows 教授らの国際共同研究グループは、オンアクシススパッタリングにより、TmIG の垂直磁化膜を作製することに成功しました。この?法は??積の太陽光パネルや液晶ディスプレイ?の電極作製に?いられており、産業応?上重要な??積の薄膜を作製することができます。
　オンアクシススパッタリングの場合、成膜中に?エネルギーのイオンが膜に衝突するため、磁気特性が劣化すると考えられていました。しかし、当該共同研究グループは実験による試?錯誤を重ねた結果、垂直磁気異?性を有するTmIG 薄膜を実証しました。さらに、画像解析を含む最先端の磁気特性評価を?い、従来?法で作製した場合と同程度の特性を持つことを確認しました。
　TmIG を?いた?速動作磁壁移動デバイスおよびスキルミオンデバイスの産業応?に向けて、その量産可能性を?す結果です。
　本研究成果は「Thin Solid Films」誌に2023 年12 ?15 ?（現地時間）にオンライン掲載されました。

(※1) 垂直磁化膜
薄膜の膜厚?向に磁化しやすい性质を持つ强磁性体の薄膜のこと。メモリーやコンピューティングデバイスの集积化のために必要な特性の?つです。
(※2)スキルミオン
电?スピンの涡构造からなる準粒?のこと。微弱电流により动かすことができるため、新しい情报担体としての応?が期待されています。
(※3) オンアクシススパッタリング
半导体デバイスやスピントロニクスデバイスの作製に?般的に?いられる?法で、?型の液晶ディスプレイや太阳光パネル?产にも?いられます。

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掲載誌： Thin Solid Films
タイトル：
著者名：Marlis Nurut Agusutrisno, Christopher H. Marrows, Kunihiro Kamataki, Takamasa Okumura, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naoto Yamashita
顿翱滨：10.1016/箩.迟蝉蹿.2023.140176